SFH 309 FA-4 ams OSRAM, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package

Код товара RS: 876-8710Бренд: ams OSRAMПарт-номер производителя: SFH 309 FA-4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

7мкс

Типичное время нарастания

7мкс

Количество каналов

1

Максимальный ток освещения

4500мкА

Максимальный темновой ток

1 (≤ 50)нА

Угол половинной чувствительности

±12 °

Полярность

NPN

Количество контактов

2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

3 мм (T-1)

Размеры

3.1 (Dia.) x 5.2мм

Ток коллектора

15mA

Спектральный диапазон чувствительности

880 - 1120 нм

Минимальная определяемая длина волны

880нм

Максимальная определяемая длина волны

1120нм

Диаметр

3.1мм

Напряжение насыщения

200мВ

Напряжение коллектор-эмиттер

35 V

Высота

5.2мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Phototransistor T-1 (3mm) Package

This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 905,50

тг 116,22 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

SFH 309 FA-4 ams OSRAM, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package
Select packaging type

тг 2 905,50

тг 116,22 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

SFH 309 FA-4 ams OSRAM, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 225тг 116,22тг 2 905,50
250 - 475тг 98,34тг 2 458,50
500 - 975тг 93,87тг 2 346,75
1000 - 1975тг 80,46тг 2 011,50
2000+тг 71,52тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

7мкс

Типичное время нарастания

7мкс

Количество каналов

1

Максимальный ток освещения

4500мкА

Максимальный темновой ток

1 (≤ 50)нА

Угол половинной чувствительности

±12 °

Полярность

NPN

Количество контактов

2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

3 мм (T-1)

Размеры

3.1 (Dia.) x 5.2мм

Ток коллектора

15mA

Спектральный диапазон чувствительности

880 - 1120 нм

Минимальная определяемая длина волны

880нм

Максимальная определяемая длина волны

1120нм

Диаметр

3.1мм

Напряжение насыщения

200мВ

Напряжение коллектор-эмиттер

35 V

Высота

5.2мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Phototransistor T-1 (3mm) Package

This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors