Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
7мкс
Типичное время нарастания
7мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
4500мкА
Максимальный темновой ток
1 (≤ 50)нА
Угол половинной чувствительности
±12 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
3 мм (T-1)
Размеры
3.1 (Dia.) x 5.2мм
Ток коллектора
15mA
Спектральный диапазон чувствительности
880 - 1120 нм
Минимальная определяемая длина волны
880нм
Максимальная определяемая длина волны
1120нм
Диаметр
3.1мм
Напряжение насыщения
200мВ
Напряжение коллектор-эмиттер
35 V
Высота
5.2мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Phototransistor T-1 (3mm) Package
This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
тг 2 905,50
тг 116,22 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 905,50
тг 116,22 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 225 | тг 116,22 | тг 2 905,50 |
250 - 475 | тг 98,34 | тг 2 458,50 |
500 - 975 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
1000 - 1975 | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
2000+ | тг 71,52 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
7мкс
Типичное время нарастания
7мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
4500мкА
Максимальный темновой ток
1 (≤ 50)нА
Угол половинной чувствительности
±12 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
3 мм (T-1)
Размеры
3.1 (Dia.) x 5.2мм
Ток коллектора
15mA
Спектральный диапазон чувствительности
880 - 1120 нм
Минимальная определяемая длина волны
880нм
Максимальная определяемая длина волны
1120нм
Диаметр
3.1мм
Напряжение насыщения
200мВ
Напряжение коллектор-эмиттер
35 V
Высота
5.2мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Phototransistor T-1 (3mm) Package
This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.