Фототранзисторы
A Phototransistor is a two-lead or three-lead semiconductor that is more sensitive than a photodiode. It senses light levels and uses them to alter currents to create an electrical signal.
The bipolar semiconductor is can be made from silicon or another semi-conductive material.
How do Phototransistors work?
Once detection of light such as IR (infrared), visible light or UV (U...
Вы просматриваете 1-20 из 216 результатов
Wurth Elektronik
-
Infrared, Visible Light
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
150 °
NPN
2
Поверхностный монтаж
0603
1.6 x 0.8 x 0.8мм
20mA
-
1100нм
400 → 1100 nm
400нм
-
5V
1.6мм
0.8мм
-
WL-STCW
35V
0.8мм
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
0.02мкА
-
120 °
-
2
Монтаж на плату в отверстия
0603 (0201)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
WL-STCB
-
-
Vishay
-
Near Infrared Radiation, Visible Infrared Radiation
-
-
9mA
-
15 °
-
2
Поверхностный монтаж
GW
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VEMT
-
-
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
120 °
NPN
2
Поверхностный монтаж
3528
3.5 x 2.8 x 1.9мм
20mA
-
1100нм
700 → 1100 nm
700нм
-
5V
3.5мм
1.9мм
PLCC
WL-STTB
35V
2.8мм
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
140 °
NPN
2
Поверхностный монтаж
1206
3.2 x 1.6 x 1.1мм
20mA
-
1100нм
700 → 1100 nm
700нм
-
5V
3.2мм
1.1мм
-
WL-STCB
30V
1.6мм
onsemi
-
Infrared
7мкс
7мкс
-
100нА
±12 °
-
2
Монтаж на плату в отверстия
T-1 3/4
6.1 Dia. x 8.77мм
39mA
6.1мм
880нм
880 нм
-
0.4V
5V
-
8.77мм
Phototransistor
-
30V
-
Wurth Elektronik
-
Infrared, Visible Light
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
120 °
NPN
2
Поверхностный монтаж
3528
3.5 x 2.8 x 1.9мм
20mA
-
1100нм
400 → 1100 nm
400нм
-
5V
3.5мм
1.9мм
PLCC
WL-STTW
35V
2.8мм
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
30°
NPN
2
Поверхностный монтаж
1206
3.2 x 1.6 x 1.85мм
20mA
-
1100нм
700 → 1100 nm
700нм
-
5V
3.2мм
1.85мм
-
WL-STRB
30V
1.6мм
onsemi
-
Infrared
50мкс
10мкс
-
100нА
-
-
4
Монтаж на плату в отверстия
Custom 4L
4.39 x 6.1 x 4.65мм
0.3 (Minimum)mA
-
940нм
940 нм
-
0.4V
5V
4.39мм
4.65мм
Phototransistor
-
30V
6.1мм
P.O.A.
Проверить наличие
25
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
30°
NPN
2
Поверхностный монтаж
1206
3.2 x 1.6 x 1.85мм
20mA
-
1100нм
700 → 1100 nm
700нм
-
5V
3.2мм
1.85мм
-
WL-STRB
30V
1.6мм
P.O.A.
Проверить наличие
10
onsemi
Инфракрасный
Infrared
50мкс
10мкс
-
100нА
-
-
4
Монтаж на плату в отверстия
Custom 4L
4.39 x 6.1 x 4.65мм
1 (Minimum)mA
-
940нм
940 нм
-
0.4V
5V
4.39мм
4.65мм
Phototransistor
-
30V
6.1мм
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
0.02мкА
-
30°
-
2
Монтаж на плату в отверстия
5 мм (T-1 3/4)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
WL-TTRB
-
-
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
0.02мкА
-
25 °
-
2
Монтаж на плату в отверстия
5 мм (T-1 3/4)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
WL-TTRB
-
-
onsemi
-
Infrared
50мкс
10мкс
-
100нА
-
-
4
Монтаж на плату в отверстия
Custom 4L
4.39 x 6.1 x 4.65мм
1 (Minimum)mA
-
940нм
940 нм
-
0.4V
5V
4.39мм
4.65мм
Phototransistor
-
30V
6.1мм
P.O.A.
Проверить наличие
10
onsemi
-
Infrared
50мкс
10мкс
-
100нА
-
-
4
Монтаж на плату в отверстия
Custom 4L
4.39 x 6.1 x 4.65мм
0.3 (Minimum)mA
-
940нм
940 нм
-
0.4V
5V
4.39мм
4.65мм
Phototransistor
-
30V
6.1мм
P.O.A.
Проверить наличие
5
...