Vishay VS-HFA50PA60C-N3 Диод
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальный непрерывный прямой ток
50A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
600V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
2V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковое время обратного восстановления
75нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
225A
Информация о товаре
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальный непрерывный прямой ток
50A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
600V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
2V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковое время обратного восстановления
75нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
225A
Информация о товаре
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.