Toshiba GT50JR22 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Код товара RS: 796-5064Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: GT50JR22
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±25V

Максимальное рассеяние мощности

230 Вт

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.5 x 4.5 x 20мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Toshiba

IGBT Discretes & Modules, Toshiba

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 762,46

тг 2 762,46 Each (ex VAT)

Toshiba GT50JR22 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 762,46
2тг 5 524,92
3тг 8 287,38
4тг 11 049,84
5тг 13 812,30
6тг 16 574,76
7тг 19 337,22
8тг 22 099,68
9тг 24 862,14
10тг 23 735,70
11тг 26 109,27
12тг 28 482,84
13тг 30 856,41
14тг 33 229,98
15тг 35 603,55

тг 2 762,46

тг 2 762,46 Each (ex VAT)

Toshiba GT50JR22 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 762,46
2тг 5 524,92
3тг 8 287,38
4тг 11 049,84
5тг 13 812,30
6тг 16 574,76
7тг 19 337,22
8тг 22 099,68
9тг 24 862,14
10тг 23 735,70
11тг 26 109,27
12тг 28 482,84
13тг 30 856,41
14тг 33 229,98
15тг 35 603,55

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 2 762,46
10 - 49тг 2 373,57
50 - 124тг 2 074,08
125 - 249тг 1 385,70
250+тг 1 108,56

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±25V

Максимальное рассеяние мощности

230 Вт

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.5 x 4.5 x 20мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Toshiba

IGBT Discretes & Modules, Toshiba

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.