Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A

Код товара RS: 827-4909Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD18563Q5A
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

VSONP

Серия

NexFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

10,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.7V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 330,15

тг 666,03 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 330,15
10тг 6 660,30
15тг 9 990,45
20тг 13 320,60
25тг 16 650,75
30тг 19 980,90
35тг 23 311,05
40тг 26 641,20
45тг 29 971,35
50тг 24 361,50
55тг 26 797,65
60тг 29 233,80
65тг 31 669,95
70тг 34 106,10
75тг 36 542,25

тг 3 330,15

тг 666,03 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 330,15
10тг 6 660,30
15тг 9 990,45
20тг 13 320,60
25тг 16 650,75
30тг 19 980,90
35тг 23 311,05
40тг 26 641,20
45тг 29 971,35
50тг 24 361,50
55тг 26 797,65
60тг 29 233,80
65тг 31 669,95
70тг 34 106,10
75тг 36 542,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 666,03тг 3 330,15
50 - 95тг 487,23тг 2 436,15
100 - 245тг 482,76тг 2 413,80
250 - 495тг 424,65тг 2 123,25
500+тг 362,07тг 1 810,35

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

VSONP

Серия

NexFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

10,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.7V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments