STMicroelectronics STGW20NC60VD IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 1 515,33
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 515,33
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 1 515,33 |
| 5 - 9 | тг 1 479,57 |
| 10 - 19 | тг 1 247,13 |
| 20 - 49 | тг 1 220,31 |
| 50+ | тг 1 193,49 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.