Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
6 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
600V
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Количество транзисторов
6
Тип корпуса
N2DIP-26L type Z
Число контактов
26
Конфигурация транзистора
Серия
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
STMicroelectronics STGIPQ4C60T-HZ IGBT, 6 A 600 V, 26-Pin N2DIP-26L type Z
15
P.O.A.
STMicroelectronics STGIPQ4C60T-HZ IGBT, 6 A 600 V, 26-Pin N2DIP-26L type Z
Информация о наличии не успела загрузиться
15
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
6 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
600V
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Количество транзисторов
6
Тип корпуса
N2DIP-26L type Z
Число контактов
26
Конфигурация транзистора
Серия