STMicroelectronics STGB3NC120HDT4 IGBT, 14 A 1200 V, 3-Pin D²PAK, Surface Mount

Код товара RS: 151-940Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB3NC120HDT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

14 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STGB3NC120HDT4 IGBT, 14 A 1200 V, 3-Pin D²PAK, Surface Mount

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STGB3NC120HDT4 IGBT, 14 A 1200 V, 3-Pin D²PAK, Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

14 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Страна происхождения

China