Semikron SKM200GAL12E4 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
314 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS3
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
Slovakia
тг 90 311,88
тг 90 311,88 Each (ex VAT)
1
тг 90 311,88
тг 90 311,88 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 90 311,88 |
| 2 - 4 | тг 79 579,41 |
| 5 - 9 | тг 72 270,96 |
| 10 - 19 | тг 67 885,89 |
| 20+ | тг 63 500,82 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
314 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS3
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
Slovakia