ROHM RGT8BM65DGTL1 Single IGBT, 12 A 650 V, 3-Pin TO-252GE, Surface Mount

Код товара RS: 265-325Бренд: ROHMПарт-номер производителя: RGT8BM65DGTL1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Максимальный непрерывный ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Максимальное рассеяние мощности

62 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-252GE

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ROHM RGT8BM65DGTL1 Single IGBT, 12 A 650 V, 3-Pin TO-252GE, Surface Mount

10

Доступно в кратности 1
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

ROHM RGT8BM65DGTL1 Single IGBT, 12 A 650 V, 3-Pin TO-252GE, Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

10

Доступно в кратности 1
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Максимальный непрерывный ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Максимальное рассеяние мощности

62 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-252GE

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3