Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
186 W
Тип корпуса
Q0BOOST
Конфигурация
Двойной
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
22
Конфигурация транзистора
Двойной
Размеры
66.2 x 32.8 x 11.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
32.8мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
186 W
Тип корпуса
Q0BOOST
Конфигурация
Двойной
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
22
Конфигурация транзистора
Двойной
Размеры
66.2 x 32.8 x 11.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
32.8мм