Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
8 В
Тип корпуса
MCPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
16 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.6 x 0.85мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
8 В
Тип корпуса
MCPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
16 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.6 x 0.85мм
Страна происхождения
China