Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiПиковый средний прямой ток
2A
Тип перемычки
Однофазный
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
30V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN3535
Число контактов
4
Диодная технология
Диод Шоттки
Конфигурация
Одиночный
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
12.5A
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Пиковое прямое напряжение
650мВ
Пиковый обратный ток
20мкА
Длина
3.5мм
Размеры
3.5 x 3.5 x 0.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
3.5мм
Емкость перехода
102пФ
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
NSR2030 Schottky Full Bridge Rectifier, ON Semiconductor
The ON Semiconductor NSR2030 full bridge Schottky barrier diodes have a low forward voltage to reduce conduction loss. Designed for low voltage, full bridge rectification of high-speed signals such as wireless charging.
Bridge Rectifiers - ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiПиковый средний прямой ток
2A
Тип перемычки
Однофазный
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
30V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN3535
Число контактов
4
Диодная технология
Диод Шоттки
Конфигурация
Одиночный
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
12.5A
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Пиковое прямое напряжение
650мВ
Пиковый обратный ток
20мкА
Длина
3.5мм
Размеры
3.5 x 3.5 x 0.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
3.5мм
Емкость перехода
102пФ
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
NSR2030 Schottky Full Bridge Rectifier, ON Semiconductor
The ON Semiconductor NSR2030 full bridge Schottky barrier diodes have a low forward voltage to reduce conduction loss. Designed for low voltage, full bridge rectification of high-speed signals such as wireless charging.