Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
10.5V
Минимальное пробивное напряжение
5.1V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN1610
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
1050W
Максимальный пиковый импульсный ток
100A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.6 x 1 x 0.5мм
Емкость
380пФ
Длина
1.6мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Информация о товаре
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
25
P.O.A.
Стандартная упаковка
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
10.5V
Минимальное пробивное напряжение
5.1V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN1610
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
1050W
Максимальный пиковый импульсный ток
100A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.6 x 1 x 0.5мм
Емкость
380пФ
Длина
1.6мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Информация о товаре