Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Серия
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество элементов на ИС
2
Максимальное обратное напряжение
7V
Тип корпуса
SOT-23
Диодная технология
Кремниевое соединение
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
600мВ
Максимальная емкость диода
1пФ
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Ширина
1.4мм
Высота
1.11мм
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.11мм
Информация о товаре
RF Band Switching Diodes, ON Semiconductor
RF (Radio Frequency) diodes suitable for use in HF, RF and Microwave mixing and detection applications.
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
100 - 100 | P.O.A. |
200 - 400 | P.O.A. |
500 - 900 | P.O.A. |
1000 - 1900 | P.O.A. |
2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Серия
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество элементов на ИС
2
Максимальное обратное напряжение
7V
Тип корпуса
SOT-23
Диодная технология
Кремниевое соединение
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
600мВ
Максимальная емкость диода
1пФ
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Ширина
1.4мм
Высота
1.11мм
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.11мм
Информация о товаре
RF Band Switching Diodes, ON Semiconductor
RF (Radio Frequency) diodes suitable for use in HF, RF and Microwave mixing and detection applications.
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.