Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 40mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
12 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
85пФ
Емкость исток-затвор
85пФ
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.58мм
Высота
4.58мм
Ширина
3.86мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 129,63
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 129,63
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 129,63 | тг 3 240,75 |
125 - 225 | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
250 - 1225 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
1250 - 2475 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
2500+ | тг 49,17 | тг 1 229,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 40mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
12 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
85пФ
Емкость исток-затвор
85пФ
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.58мм
Высота
4.58мм
Ширина
3.86мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.