onsemi BC848CPDW1T1G Dual NPN/PNP Transistor, 200 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363

Код товара RS: 184-4178Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BC848CPDW1T1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

380 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi BC848CPDW1T1G Dual NPN/PNP Transistor, 200 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363

P.O.A.

onsemi BC848CPDW1T1G Dual NPN/PNP Transistor, 200 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

380 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Страна происхождения

China