ON Semiconductor NGTB30N60SWG IGBT
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
189 Вт
Brand
ON SemiconductorРазмеры
16.26 x 5.3 x 21.08мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 18 | P.O.A. |
| 20 - 48 | P.O.A. |
| 50 - 98 | P.O.A. |
| 100 - 198 | P.O.A. |
| 200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
189 Вт
Brand
ON SemiconductorРазмеры
16.26 x 5.3 x 21.08мм