Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Запирающий ток сток-исток Idss
1.5 → 20mA
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное сопротивление сток-исток
300 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Информация о товаре
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 20 | P.O.A. |
25 - 95 | P.O.A. |
100 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Запирающий ток сток-исток Idss
1.5 → 20mA
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное сопротивление сток-исток
300 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Информация о товаре
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.