Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
600 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
160
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
Нет
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Типичный входной резистор
10 кΩ
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
200
P.O.A.
200
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
200 - 200 | P.O.A. |
400 - 800 | P.O.A. |
1000 - 1800 | P.O.A. |
2000 - 4800 | P.O.A. |
5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
600 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
160
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
Нет
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Типичный входной резистор
10 кΩ