ON Semiconductor 2SC3647S-TD-E Биполярный транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
PCP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
PCP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм