Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
12 to 25mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 143,04
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 143,04
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 143,04 | тг 1 430,40 |
50 - 190 | тг 129,63 | тг 1 296,30 |
200 - 490 | тг 102,81 | тг 1 028,10 |
500 - 990 | тг 102,81 | тг 1 028,10 |
1000+ | тг 84,93 | тг 849,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
12 to 25mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.