Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
370 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 3.1 x 1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 160,92
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 160,92
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 160,92 | тг 1 609,20 |
50 - 190 | тг 160,92 | тг 1 609,20 |
200 - 490 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
500 - 990 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
1000+ | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
370 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 3.1 x 1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.