Nexperia BSP62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 792-0888Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSP62,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1.9 V

Максимальное напряжение коллектор-база

-90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1.3 V

Максимальный запирающий ток коллектора

-50nA

Высота

1.7мм

Ширина

3.7мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Длина

6.7мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 205,62

Each (On a Reel of 20) (ex VAT)

Nexperia BSP62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Select packaging type

тг 205,62

Each (On a Reel of 20) (ex VAT)

Nexperia BSP62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Катушка
20 - 80тг 205,62тг 4 112,40
100 - 240тг 169,86тг 3 397,20
260 - 480тг 147,51тг 2 950,20
500 - 980тг 129,63тг 2 592,60
1000+тг 102,81тг 2 056,20

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1.9 V

Максимальное напряжение коллектор-база

-90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1.3 V

Максимальный запирающий ток коллектора

-50nA

Высота

1.7мм

Ширина

3.7мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Длина

6.7мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia