Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnatecТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Информация о товаре
Bipolar Transistors, Magnatec
A range of specialized bipolar transistors from Magnatec/Semelab which includes complementary Darlington Power Transistors and High-power, High-current TO3 devices.
Bipolar Transistors, Magnatec
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 648,15
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 648,15
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | тг 648,15 |
10 - 49 | тг 312,90 |
50 - 99 | тг 254,79 |
100 - 249 | тг 232,44 |
250+ | тг 214,56 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnatecТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Информация о товаре
Bipolar Transistors, Magnatec
A range of specialized bipolar transistors from Magnatec/Semelab which includes complementary Darlington Power Transistors and High-power, High-current TO3 devices.