Littelfuse MG06400D-BN4MM Series IGBT Module, 460 A 600 V, 7-Pin 62MM Module, Panel Mount

Код товара RS: 794-4635Бренд: LittelfuseПарт-номер производителя: MG06400D-BN4MM
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

460 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 кВт

Тип корпуса

Модуль 62MM

Конфигурация

Серия

Тип монтажа

Монтаж на панель

Тип канала

N

Число контактов

7

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Серия

Размеры

108 x 62 x 30.5мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Modules, Littelfuse

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 51 892,23

Each (ex VAT)

Littelfuse MG06400D-BN4MM Series IGBT Module, 460 A 600 V, 7-Pin 62MM Module, Panel Mount
Select packaging type

тг 51 892,23

Each (ex VAT)

Littelfuse MG06400D-BN4MM Series IGBT Module, 460 A 600 V, 7-Pin 62MM Module, Panel Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 51 892,23
10 - 49тг 51 436,29
50+тг 50 426,07

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

460 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 кВт

Тип корпуса

Модуль 62MM

Конфигурация

Серия

Тип монтажа

Монтаж на панель

Тип канала

N

Число контактов

7

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Серия

Размеры

108 x 62 x 30.5мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Modules, Littelfuse

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.