Техническая документация
Характеристики
Brand
ISSIОбъем памяти
256Мбит
Организация
16M x 16
Скорость передачи данных
143МГц
Ширина шины данных
16бит
Ширина адресной шины
15бит
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
5.4нс
Количество слов
16M
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
54
Размеры
22.42 x 10.29 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Длина
22.42мм
Ширина
10.29мм
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Минимальная рабочая температура
0 °C
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Информация о товаре
Dynamic RAM, ISSI
ISSI SDR SDRAM range offers synchronous interface with programmable CAS Latency (2/3 clocks). High speed data transfer is achieved using the pipeline process and the Synchronous DRAM SDR series offer burst read/write and burst read/single write making them ideally for use in computers applications. ISSIs SDR SDRAM devices come in a range of different organisations and memory sizes, operating on a 3.3V power supply.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Лоток)
1
P.O.A.
Производственная упаковка (Лоток)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
ISSIОбъем памяти
256Мбит
Организация
16M x 16
Скорость передачи данных
143МГц
Ширина шины данных
16бит
Ширина адресной шины
15бит
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
5.4нс
Количество слов
16M
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
54
Размеры
22.42 x 10.29 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Длина
22.42мм
Ширина
10.29мм
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Минимальная рабочая температура
0 °C
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Информация о товаре
Dynamic RAM, ISSI
ISSI SDR SDRAM range offers synchronous interface with programmable CAS Latency (2/3 clocks). High speed data transfer is achieved using the pipeline process and the Synchronous DRAM SDR series offer burst read/write and burst read/single write making them ideally for use in computers applications. ISSIs SDR SDRAM devices come in a range of different organisations and memory sizes, operating on a 3.3V power supply.