Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonНапряжение питания
20V
Число контактов
8
Тип корпуса
SOIC
Время спада
90нс
Количество выходов
2
Время нарастания
170нс
Топология
Полумост
Задержка по времени
820нс
Количество драйверов
2
Тип перемычки
Полумост
Полярность
Инвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Half-Bridge, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in half bridge configurations.
MOSFET & IGBT Drivers, Infineon (International Rectifier)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonНапряжение питания
20V
Число контактов
8
Тип корпуса
SOIC
Время спада
90нс
Количество выходов
2
Время нарастания
170нс
Топология
Полумост
Задержка по времени
820нс
Количество драйверов
2
Тип перемычки
Полумост
Полярность
Инвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Half-Bridge, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in half bridge configurations.