Infineon IKP30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin 188, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
55 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/-20V
Максимальное рассеяние мощности
188 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
188
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Infineon IKP30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin 188, Through Hole
50
P.O.A.
Infineon IKP30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin 188, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
55 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/-20V
Максимальное рассеяние мощности
188 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
188
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3