Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

Код товара RS: 260-8888PБренд: InfineonПарт-номер производителя: FF50R12RT4HOSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

285 Вт

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

AG-34MM

Конфигурация

Двойной

Тип монтажа

Монтаж на шасси

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount
Select packaging type

P.O.A.

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

285 Вт

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

AG-34MM

Конфигурация

Двойной

Тип монтажа

Монтаж на шасси