Infineon FF100R12RT4HOSA1 Series IGBT Module, 100 A 1200 V AG-34MM-1, Panel Mount
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Конфигурация
Серия
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Тип корпуса
AG-34MM-1
Максимальное рассеяние мощности
555 Вт
Brand
InfineonРазмеры
94 x 34 x 30.2мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Конфигурация
Серия
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Тип корпуса
AG-34MM-1
Максимальное рассеяние мощности
555 Вт
Brand
InfineonРазмеры
94 x 34 x 30.2мм
Страна происхождения
Malaysia