Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре