Infineon BC846PNH6327XTSA1 Dual NPN/PNP Transistor, 100 mA, 65 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 13,41
Each (In a Pack of 200) (ex VAT)
Стандартная упаковка
200
тг 13,41
Each (In a Pack of 200) (ex VAT)
Стандартная упаковка
200
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 200 - 1800 | тг 13,41 | тг 2 682,00 |
| 2000 - 9800 | тг 13,41 | тг 2 682,00 |
| 10000 - 19800 | тг 8,94 | тг 1 788,00 |
| 20000 - 49800 | тг 8,94 | тг 1 788,00 |
| 50000+ | тг 8,94 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon