Fairchild HGTG40N60B3 IGBT, 70 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Максимальный непрерывный ток коллектора
70 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 4 644,33
тг 4 644,33 Each (ex VAT)
1
тг 4 644,33
тг 4 644,33 Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 4 644,33 |
| 25 - 99 | тг 3 736,92 |
| 100 - 249 | тг 3 160,29 |
| 250 - 499 | тг 3 008,31 |
| 500+ | тг 2 749,05 |
Техническая документация
Характеристики
Максимальный непрерывный ток коллектора
70 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.