Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-323
Максимальный непрерывный прямой ток
520mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
3нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
2.5A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 3 017,25
тг 120,69 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 017,25
тг 120,69 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 120,69 | тг 3 017,25 |
125 - 225 | тг 98,34 | тг 2 458,50 |
250 - 475 | тг 98,34 | тг 2 458,50 |
500 - 1225 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
1250+ | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-323
Максимальный непрерывный прямой ток
520mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
3нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
2.5A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.