Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
1.1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
4нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
6.4A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 210,09
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 210,09
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 210,09 | тг 2 100,90 |
50 - 190 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
200 - 490 | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
500 - 990 | тг 120,69 | тг 1 206,90 |
1000+ | тг 93,87 | тг 938,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
1.1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
4нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
6.4A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.