SFH3410 human eye char phototransistor
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
3.2мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DIP
Размеры
2.1 x 2.7 x 1.05мм
Ток коллектора
20mA
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 970 нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
970нм
Длина
2.1мм
Ширина
2.7мм
Высота
1.05мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
тг 1 430,40
тг 286,08 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 430,40
тг 286,08 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 286,08 | тг 1 430,40 |
| 25 - 95 | тг 223,50 | тг 1 117,50 |
| 100 - 245 | тг 210,09 | тг 1 050,45 |
| 250 - 495 | тг 201,15 | тг 1 005,75 |
| 500+ | тг 192,21 | тг 961,05 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
3.2мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DIP
Размеры
2.1 x 2.7 x 1.05мм
Ток коллектора
20mA
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 970 нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
970нм
Длина
2.1мм
Ширина
2.7мм
Высота
1.05мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.