STMicroelectronics STD60NF55LT4 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Типичный заряд затвора при Vgs
40 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
STripFET II
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 495 | P.O.A. |
| 500 - 995 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Типичный заряд затвора при Vgs
40 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
STripFET II
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C