STMicroelectronics STD13NM60N MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
360 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.4мм
Серия
MDmesh
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 24 | P.O.A. |
| 25 - 49 | P.O.A. |
| 50 - 99 | P.O.A. |
| 100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
360 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.4мм
Серия
MDmesh