ON Semiconductor MMBFJ310LT3G N-Channel JFET, 25 V, Idss 24 to 60mA, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 773-7813Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ310LT3G
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

24 to 60mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость исток-затвор

5пФ

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.4мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBFJ310LT3G N-Channel JFET, 25 V, Idss 24 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

P.O.A.

ON Semiconductor MMBFJ310LT3G N-Channel JFET, 25 V, Idss 24 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
10 - 90P.O.A.
100 - 240P.O.A.
250 - 490P.O.A.
500 - 990P.O.A.
1000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

24 to 60mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость исток-затвор

5пФ

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.4мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.