onsemi MMBFJ310LG N-Channel JFET, 25 V, Idss 24 to 60mA, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 625-5745Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ310LT1G
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

24 to 60mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+25 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

0.94мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MMBFJ310LG N-Channel JFET, 25 V, Idss 24 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

P.O.A.

onsemi MMBFJ310LG N-Channel JFET, 25 V, Idss 24 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 20P.O.A.
25 - 95P.O.A.
100 - 245P.O.A.
250 - 495P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

24 to 60mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+25 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

0.94мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.