Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX3008CBKV,115

Код товара RS: 816-0567PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: NX3008CBKV,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

220 мА, 400 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-666

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 Ω, 7,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,52 нКл при 4,5 В, 0,55 нКл при 4,5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.6мм

Страна происхождения

Hong Kong

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX3008CBKV,115
Select packaging type

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX3008CBKV,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

220 мА, 400 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-666

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 Ω, 7,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,52 нКл при 4,5 В, 0,55 нКл при 4,5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.6мм

Страна происхождения

Hong Kong

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors