Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
170 мА, 330 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В, 60 В
Тип корпуса
SOT-666
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
3,6 Ом, 13,5 Ом
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,26 нКл при 5 В, 0,5 нКл при 4,5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 50 | P.O.A. |
100 - 200 | P.O.A. |
250 - 950 | P.O.A. |
1000 - 3950 | P.O.A. |
4000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
170 мА, 330 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В, 60 В
Тип корпуса
SOT-666
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
3,6 Ом, 13,5 Ом
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,26 нКл при 5 В, 0,5 нКл при 4,5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Информация о товаре