Infineon FF600R12IP4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount

Код товара RS: 260-8891Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF600R12IP4BOSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

AG-PRIME2

Конфигурация

Двойной

Тип монтажа

Монтаж на шасси

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FF600R12IP4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount

3

Доступно в кратности 3
3P.O.A.
6P.O.A.
9P.O.A.
12P.O.A.
15P.O.A.
18P.O.A.
21P.O.A.
24P.O.A.
27P.O.A.
30P.O.A.
33P.O.A.
36P.O.A.
39P.O.A.
42P.O.A.
45P.O.A.

P.O.A.

Infineon FF600R12IP4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

3

Доступно в кратности 3
3P.O.A.
6P.O.A.
9P.O.A.
12P.O.A.
15P.O.A.
18P.O.A.
21P.O.A.
24P.O.A.
27P.O.A.
30P.O.A.
33P.O.A.
36P.O.A.
39P.O.A.
42P.O.A.
45P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

AG-PRIME2

Конфигурация

Двойной

Тип монтажа

Монтаж на шасси