Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

Код товара RS: 260-8887Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF50R12RT4HOSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

285 Вт

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

AG-34MM

Конфигурация

Двойной

Тип монтажа

Монтаж на шасси

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

285 Вт

Количество транзисторов

2

Тип корпуса

AG-34MM

Конфигурация

Двойной

Тип монтажа

Монтаж на шасси