ON Semiconductor 2N3904BU Транзистор

Код товара RS: 842-8015Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2N3904BU
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor 2N3904BU Транзистор

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor 2N3904BU Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1000 - 2000P.O.A.
3000 - 9000P.O.A.
10000 - 29000P.O.A.
30000 - 49000P.O.A.
50000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.