Фототранзисторы
A Phototransistor is a two-lead or three-lead semiconductor that is more sensitive than a photodiode. It senses light levels and uses them to alter currents to create an electrical signal.
The bipolar semiconductor is can be made from silicon or another semi-conductive material.
How do Phototransistors work?
Once detection of light such as IR (infrared), visible light or UV (U...
Вы просматриваете 1-20 из 233 результатов
Wurth Elektronik
-
Infrared, Visible Light
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
150 °
NPN
2
Поверхностный монтаж
0603
1.6 x 0.8 x 0.8мм
20mA
-
400 → 1100 nm
1100нм
400нм
5V
0.8мм
WL-STCW
-
0.8мм
35V
-
1.6мм
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
0.02мкА
-
120 °
-
2
Монтаж на плату в отверстия
0603 (0201)
-
-
-
-
-
-
-
-
WL-STCB
-
-
-
-
-
Vishay
Излучение в ближнем инфракрасном диапазоне, Излучение в видимом инфракрасном диапазоне
Near Infrared Radiation, Visible Infrared Radiation
-
-
9mA
-
15 °
-
2
Поверхностный монтаж
GW
-
-
-
-
-
-
-
-
VEMT
-
-
-
-
-
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
120 °
NPN
2
Поверхностный монтаж
3528
3.5 x 2.8 x 1.9мм
20mA
-
700 → 1100 nm
1100нм
700нм
5V
1.9мм
WL-STTB
-
2.8мм
35V
PLCC
3.5мм
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
140 °
NPN
2
Поверхностный монтаж
1206
3.2 x 1.6 x 1.1мм
20mA
-
700 → 1100 nm
1100нм
700нм
5V
1.1мм
WL-STCB
-
1.6мм
30V
-
3.2мм
onsemi
-
Infrared
7мкс
7мкс
-
100нА
±12 °
-
2
Монтаж на плату в отверстия
T-1 3/4
6.1 Dia. x 8.77мм
39mA
6.1мм
880 nm
880нм
-
5V
8.77мм
-
0.4V
-
30V
Phototransistor
-
Wurth Elektronik
Инфракрасный, видимый диапазон
Infrared, Visible Light
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
120 °
NPN
2
Поверхностный монтаж
3528
3.5 x 2.8 x 1.9мм
20mA
-
400 → 1100 nm
1100нм
400нм
5V
1.9мм
WL-STTW
-
2.8мм
35V
PLCC
3.5мм
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
30°
NPN
2
Поверхностный монтаж
1206
3.2 x 1.6 x 1.85мм
20mA
-
700 → 1100 nm
1100нм
700нм
5V
1.85мм
WL-STRB
-
1.6мм
30V
-
3.2мм
onsemi
-
Infrared
50мкс
10мкс
-
100нА
-
-
4
Монтаж на плату в отверстия
Custom 4L
4.39 x 6.1 x 4.65мм
0.3 (Minimum)mA
-
940 нм
940нм
-
5V
4.65мм
-
0.4V
6.1мм
30V
Phototransistor
4.39мм
P.O.A.
Проверить наличие
25
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
-
100 (Collector Emitter)нА
30°
NPN
2
Поверхностный монтаж
1206
3.2 x 1.6 x 1.85мм
20mA
-
700 → 1100 nm
1100нм
700нм
5V
1.85мм
WL-STRB
-
1.6мм
30V
-
3.2мм
P.O.A.
Проверить наличие
10
onsemi
-
Infrared
50мкс
10мкс
-
100нА
-
-
4
Монтаж на плату в отверстия
Custom 4L
4.39 x 6.1 x 4.65мм
1 (Minimum)mA
-
940 нм
940нм
-
5V
4.65мм
-
0.4V
6.1мм
30V
Phototransistor
4.39мм
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
0.02мкА
-
30°
-
2
Монтаж на плату в отверстия
5 мм (T-1 3/4)
-
-
-
-
-
-
-
-
WL-TTRB
-
-
-
-
-
Wurth Elektronik
-
Infrared
-
-
0.02мкА
-
25 °
-
2
Монтаж на плату в отверстия
5 мм (T-1 3/4)
-
-
-
-
-
-
-
-
WL-TTRB
-
-
-
-
-
onsemi
Инфракрасный
Infrared
50мкс
10мкс
-
100нА
-
-
4
Монтаж на плату в отверстия
Custom 4L
4.39 x 6.1 x 4.65мм
1 (Minimum)mA
-
940 нм
940нм
-
5V
4.65мм
-
0.4V
6.1мм
30V
Phototransistor
4.39мм
P.O.A.
Проверить наличие
10
onsemi
-
Infrared
50мкс
10мкс
-
100нА
-
-
4
Монтаж на плату в отверстия
Custom 4L
4.39 x 6.1 x 4.65мм
0.3 (Minimum)mA
-
940 нм
940нм
-
5V
4.65мм
-
0.4V
6.1мм
30V
Phototransistor
4.39мм
P.O.A.
Проверить наличие
5
...