EEPROM
EEPROM is short for Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory. It is a non-volatile memory used in devices that are required to hold small amounts of data within a circuit in a compact package. Non-volatile data is able to be erased and reprogrammed.
The read-only memory or ROM can be erased and reprogrammed through the application of electrical voltages. EEPROM chips can be mod...
Вы просматриваете 1-20 из 1078 результатов
P.O.A.
Проверить наличие
5
STMicroelectronics
64Кбит
Последовательный, I2C
WLCSP
Поверхностный монтаж
5
8 к x 8
1,7 В
5,5 В
1.7 → 5.5V
8бит
1.07 x 1.16 x 0.35мм
8 K
+85 °C
450нс
200г.
-40 °C
STMicroelectronics
16Кбит
Последовательный, I2C
UFDFPN
Поверхностный монтаж
8
2 K x 8
1,8 В
5,5 В
1.8 → 5.5V
8бит
2.1 x 3.1 x 0.55мм
2 K
+85 °C
900нс
40г.
-40 °C
STMicroelectronics
256Кбит
Последовательный, I2C
UFDFPN
Поверхностный монтаж
8
32 к x 8
1,7 В
5,5 В
1.7 → 5.5V
8бит
2.1 x 3.1 x 0.55мм
32 k
+85 °C
450нс
200г.
-40 °C
Microchip
2Кбит
Последовательный, I2C
TSSOP
Поверхностный монтаж
8
256 x 8-разрядный
1,7 В
5,5 В
1.7 to 5.5V
8бит
3 x 4.4 x 1мм
256
+85 °C
550нс
100г.
-40 °C
STMicroelectronics
2Мбит
Последовательный, I2C
SO
Поверхностный монтаж
8
256 K x 8 бит
2,5 В
5,5 В
2.5 → 5.5V
8бит
5 x 4 x 1.5мм
256K
+125 °C
900нс
100г.
-40 °C
STMicroelectronics
32Кбит
Последовательный, I2C
SOIC
Поверхностный монтаж
8
4 к x 8
1,7 В
5,5 В
1.7 → 5.5V
8бит
5 x 4 x 1.5мм
4 K
+85 °C
450нс
200г.
-40 °C
STMicroelectronics
16Кбит
Последовательный, I2C
TSSOP
Поверхностный монтаж
8
2 K x 8
2,5 В
5,5 В
2.5 → 5.5V
8бит
3.1 x 4.5 x 1.05мм
2 K
+85 °C
900нс
100г.
-40 °C
Microchip
4Кбит
Последовательный
SOIC
Поверхностный монтаж
8
256 x 16-разрядный
4,5 В
5,5 В
4.5 to 5.5V
16бит
4.9 x 3.9 x 1.25мм
256
+125 °C
200нс
200г.
-40 °C
STMicroelectronics
512Кбит
Последовательный SPI
SO
Поверхностный монтаж
8
65536 K x 8 бит
2,5 В
5,5 В
2.5 → 5.5V
8бит
5 x 4 x 1.5мм
65536
+85 °C
40нс
200г.
-40 °C
Microchip
2Кбит
Последовательный, Microwire
SOIC
Поверхностный монтаж
8
128 x 16-разрядный
2,5 В
5,5 В
2.5 → 5.5V
16бит
4.9 x 3.9 x 1.5мм
128
+85 °C
250нс
200г.
-40 °C
Microchip
1Кбит
Последовательный, Microwire
PDIP
Монтаж на плату в отверстия
8
64 x 16-разрядный
4,5 В
5,5 В
4.5 → 5.5V
16бит
9.27 x 6.35 x 3.3мм
64
+85 °C
200нс
200г.
-40 °C
Microchip
512Кбит
Последовательный, 2-проводной; последовательный, I2C
SOIC
Поверхностный монтаж
8
64К x 8 бит
1,7 В
5,5 В
1.7 → 5.5V
8бит
4.9 x 3.9 x 1.5мм
64K
+85 °C
900нс
200г.
-40 °C
Microchip
2Кбит
Последовательный, I2C
SOIC
Поверхностный монтаж
8
256 x 8-разрядный
4,5 В
5,5 В
4.5 to 5.5V
8бит
4.9 x 3.9 x 1.25мм
256
+85 °C
900нс
200г.
-40 °C
Microchip
1Кбит
Последовательный, Microwire
SOIC
Поверхностный монтаж
8
64 x 16-разрядный
4,5 В
5,5 В
4.5 → 5.5V
16бит
4.9 x 3.9 x 1.5мм
64
+85 °C
250нс
200г.
-40 °C
Microchip
512Кбит
Последовательный, I2C
PDIP
Монтаж на плату в отверстия
8
64К x 8 бит
2,5 В
5,5 В
2.5 → 5.5V
8бит
9.4 x 6.35 x 3.3мм
64K
+85 °C
900нс
200г.
-40 °C
Microchip
1Кбит
Последовательный, I2C
SOIC
Поверхностный монтаж
8
128 x 8-разрядный
1,7 В
5,5 В
1.7 → 5.5V
8бит
4.9 x 3.9 x 1.5мм
128
+85 °C
550нс
100г.
-40 °C
Microchip
1Кбит
3-проводной
DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP
Монтаж на плату в отверстия
8
128 x 8-разрядный
4,5 В
5,5 В
4.5 → 5.5V
8бит
9.27 x 6.35 x 3.3мм
128
+85 °C
250нс
200г.
-40 °C
...